【摘要】 本发明公开了一种高稳定性齐纳二极管，包括：硅衬底；氧化硅，在硅衬底的上表面；P阱，在硅衬底之中；相邻的P型重掺杂区和N型重掺杂区，在P阱之中；二金属电极，在硅衬底的上表面，且分别接触P型重掺杂区和N型重掺杂区；所述齐纳二极管还包括：多晶硅，在N型重掺杂区上方的氧化硅上表面，所述多晶硅接零电位或低电位。本发明还公开了一种上述齐纳二极管的制造方法。本发明的创新之处在于，在N型重掺杂区上方的二氧化硅上淀积多晶硅，多晶硅接零电位。这样，N型重掺杂区表面的电场垂直地指向硅表面，将使得表面电流变成体电流，减小了硅与氧化硅界面处各种不利的因素对齐纳二极管稳定性的影响，从而有效地提高了齐纳二极管的稳定性。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810044071.6 【申请日】2008-12-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752429A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752429B 【授权公告日】2011-08-24 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/866; H01L21/329 【发明人】钱文生; 吕赵鸿 【主权项内容】一种高稳定性齐纳二极管，包括：硅衬底；氧化硅，在硅衬底的上表面；P阱，在硅衬底之中；相邻的P型重掺杂区和N型重掺杂区，在P阱之中；二金属电极，在硅衬底的上表面，且分别接触P型重掺杂区和N型重掺杂区；其特征是：所述齐纳二极管还包括：多晶硅，仅在N型重掺杂区上方的氧化硅上表面，所述多晶硅接零电位或低电位。 【当前权利人】上海华虹宏力半导体制造有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X 【被引证次数】7 【被自引次数】1.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7
