【摘要】 本发明公开了一种通孔刻蚀方法，形成通孔刻蚀结构后对通孔进行刻蚀，对通孔刻蚀结构中的底部防反射涂层进行刻蚀时，采用溴化氢气体刻蚀，得到锥形孔结构。本发明提供的方法可以在不更改现有曝光和显影方法基础上，使刻蚀的通孔特征尺寸达到所要求的通孔特征尺寸。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810224596.8 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728260A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728260B 【授权公告日】2011-04-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/311; H01L21/768; H01L21/02; H01L21/70 【发明人】张海洋; 陈海华; 黄怡; 赵林林 【主权项内容】一种通孔刻蚀方法，形成通孔刻蚀结构后对通孔进行刻蚀，其特征在于，对通孔刻蚀结构中的底部防反射涂层进行刻蚀时，采用溴化氢气体刻蚀，得到锥形孔结构。 ： 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】2
