【摘要】 本发明公开了一种薄膜构造体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部比第二凹部深； 在所述母板上连续沉积具有不同厚度的第一物质层及第二物质层；对母板进 行研磨，形成平坦的上表面，且所述第一凹部内具有第一物质层及第二物质 层，所述第二凹部内仅有第一物质层。本发明还公开了一种边缘电场切换型 液晶显示器阵列基板的制造方法。本发明能够采用一个掩膜板在两层薄膜上 分别形成图形的同时，还能形成平坦的上表面。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222550.2 【申请日】2008-09-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677058A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677058B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/84 【发明人】刘圣烈; 宋泳锡; 崔承镇 【主权项内容】1、一种薄膜构造体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：提供上表面具有第一凹部和第二凹部的母板，且所述第一凹部 比第二凹部深； 步骤2：在所述母板上连续沉积具有不同厚度的第一物质层及第二物质 层； 步骤3：对完成步骤2的母板进行研磨，形成平坦的上表面，且所述第 一凹部内具有第一物质层及第二物质层，所述第二凹部内仅有第一物质层。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】10 【被自引次数】4.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】19
