【摘要】 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。制造方法包括：在基 板上依次沉积半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，通过第一次构图工 艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；依次沉积第一 绝缘层和栅金属薄膜，通过第二次构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形， 同时第一绝缘层在漏电极位置形成有绝缘层过孔；沉积透明导电薄膜，第三 次构图工艺形成包括像素电极的图形，像素电极通过所述绝缘层过孔与漏电 极连接；形成第二绝缘层。本发明提出的三次掩模工艺减少了掩模次数，具 有工艺过程简单、成本低、良品率高等优点。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810116878.6 【申请日】2008-07-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630098A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101630098B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【发明人】侯智; 郑载润; 郑云友; 肖红玺; 李伟 【主权项内容】1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管， 其特征在于，所述薄膜晶体管包括： 半导体层和掺杂半导体层，依次形成在基板上； 源电极和漏电极，形成在所述掺杂半导体层上，源电极和漏电极之间的 区域为TFT沟道区域，其中源电极与所述数据线连接； 第一绝缘层，形成在所述源电极和漏电极上，其上形成有使所述像素电 极与所述漏电极连接的绝缘层过孔； 栅电极，形成在所述第一绝缘层上，并位于所述TFT沟道区域上方，所 述栅电极与所述栅线连接； 栅绝缘层，形成在所述栅电极和栅线上。 微信 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】23 【被自引次数】18.0 【家族被引证次数】44
