【摘要】 本发明涉及一种薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法，该薄膜构图方法包括：步骤1，基板上沉积第一薄膜，并涂布光刻胶；步骤2，采用双调掩模板对光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区域和第三区域；步骤3，对第一薄膜进行过刻，在第三区域去除第一薄膜，并且在第一区域的周边形成过刻区域；步骤4，对光刻胶进行灰化，露出位于第二区域的第一薄膜；步骤5，沉积第二薄膜，在第二区域第一薄膜与第二薄膜接触；步骤6，剥离光刻胶，去除位于第一区域的第二薄膜，并且在第一区域的过刻区域露出基板。该薄膜构图方法采用了双调掩模板，通过剥离工艺和过刻工艺，形成薄膜重叠的区域和薄膜都被去除的区域。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810223739.3 【申请日】2008-10-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101718950A 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101718950B 【授权公告日】2011-12-28 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G03F7/00; H01L21/00; H01L21/84 【发明人】闵泰烨; 林壮奎; 宋省勳; 高雪松 【主权项内容】一种薄膜构图方法，其特征在于，包括：步骤1，在基板上沉积第一薄膜，并涂布光刻胶；步骤2，采用双调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影后，形成第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域的光刻胶比所述第二区域的光刻胶厚，所述第三区域没有光刻胶；步骤3，对所述第一薄膜进行过刻，在所述第三区域去除所述第一薄膜，并且在所述第一区域的周边形成过刻区域；步骤4，对光刻胶进行灰化，露出位于所述第二区域的所述第一薄膜；步骤5，沉积第二薄膜，在所述第二区域所述第一薄膜与所述第二薄膜接触；步骤6，剥离光刻胶，去除位于所述第一区域的第二薄膜，并且在所述第一区域的过刻区域露出所述基板。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】4 【被自引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】16.0 【家族被引证次数】15
