【摘要】 本发明公开了一种制备ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法采用传输线法制备出按一定倍数规律排列的电极测试图形，在该电极测试图形上蒸发金属Ti/Au形成监测图形，在器件制备过程中利用该监测图形对纳米线与源漏电极金属所形成的欧姆接触性能进行监测，在欧姆接触性能符合要求时继续进行源漏和背栅电极的制备，完成ZnO纳米线场效应晶体管的制备。本发明采用新颖的欧姆接触监测图形对纳米线和Ti电极之间的欧姆接触情况进行监测，确保了Ti/Au源漏电极与ZnO沟道之间形成良好的欧姆接触，为纳米线场效应晶体管的制备奠定了基础。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240079.X 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752250A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/335; H01L21/336; H01L21/66 【发明人】黎明; 徐静波; 付晓君 【主权项内容】一种制备ZnO纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法采用传输线法制备出按一定倍数规律排列的电极测试图形，在该电极测试图形上蒸发金属Ti/Au形成监测图形，在器件制备过程中利用该监测图形对纳米线与源漏电极金属所形成的欧姆接触性能进行监测，在欧姆接触性能符合要求时继续进行源漏和背栅电极的制备，完成ZnO纳米线场效应晶体管的制备。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】3 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】3
