【摘要】 本发明公开了一种发光二极管及发光二极管效能控制方法，此控制方法包 括：首先，预先设定发光二极管的发光效能预设标准值；接着，测量待测发光 二极管的发光效能；之后，计算待测发光二极管的发光效能与预设标准值的差 异值；最后，根据此差异值，于发光二极管发光路径中的至少一元件上形成破 坏性结构，破坏性结构的范围与差异值成正比。经由破坏性结构改变发光二极 管发光路径中的元件的光学特性，使发光路径中的元件发光效率下降、不发光 或降低其光穿透率，可使每个发光二极管具有一致的发光效能。 【专利类型】发明申请 【申请人】光燿科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾彰化县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810135795.1 【申请日】2008-07-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101629679A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【发明人】沈伟; 李远林; 杨玉千 【主权项内容】1.一种发光二极管，包括一基板，所述基板上设置有一第一金属接脚和 一第二金属接脚，所述第一金属接脚上设置有一发光芯片，所述发光芯片一 侧形成一第一出光面；所述发光芯片与所述第二金属接脚之间连接有一导 线；所述发光芯片可发出光束，所述光束由所述第一出光面射出并形成发光 路径；其特征在于：所述发光路径中的至少一元件上形成有破坏性结构。 【当前权利人】光燿科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾彰化县 【被引证次数】1 【家族被引证次数】1
