【摘要】 一种光传感器、感光二极管、二极管层及其制造方法。一种PIN二极管层包含N型半导体、本征半导体及P型半导体。所述N型半导体掺杂有预定含量的3价杂质。所述P型半导体配置于所述N型半导体上方。所述本征半导体配置于所述P型半导体与所述N型半导体之间。 【专利类型】发明申请 【申请人】瀚宇彩晶股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810178333.8 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752445A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752445B 【授权公告日】2013-05-29 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L31/103; H01L31/105; H01L27/144; H01L31/18; H01L31/102 【发明人】蔡志鸿; 萧建智; 施博盛 【主权项内容】一种二极管层，包含：N型半导体，其掺杂有预定含量的3价杂质；以及P型半导体，配置于所述N型半导体相邻的位置。 【当前权利人】瀚宇彩晶股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北市 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】4
