【摘要】 本发明公开了一种可整合半导体制程的微机电前处理制造方法及其 结构，于一硅基底上表面形成至少一内具微机电结构的绝缘层，微机电结 构包含彼此独立的至少一微结构与金属电路，绝缘层成型一与金属电路电 性链接的金属连接层，金属连接层外露于绝缘层表面上受一保护层覆盖进 行蚀刻，或金属连接层内藏于绝缘层表面下受绝缘层覆盖进行蚀刻，避免 金属连接层于蚀刻过程遭受侵蚀而破坏结构，使外部导体透过与金属连接 层电性链接，使金属电路透过打线与外部接合进行传输讯号。 【专利类型】发明申请 【申请人】微智半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810128321.4 【申请日】2008-07-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101624169A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【发明人】陈晓翔; 刘政谚 【主权项内容】1、一种可整合半导体制程的微机电结构制造方法；其特征在于，包 括下述步骤： 于硅基底上表面形成内具微机电结构的绝缘层，所述微机电结构包含 彼此独立的至少一微结构与数个金属电路，所述绝缘层成型一与所述金属 电路电性链接的金属连接层，判断所述金属连接层外露于所述绝缘层表面 上，所述金属连接层上形成一保护层； 所述绝缘层进行蚀刻，所述金属连接层受所述保护层保护，避免所述 金属连接层受蚀刻侵蚀破坏； 所述绝缘层于表面形成一光阻层，使所述金属连接层上的保护层外 露； 所述金属连接层上的保护层经蚀刻去除，使所述金属连接层外露于所 述绝缘层表面；以及 所述绝缘层上的光阻层经蚀刻去除。 【当前权利人】微智半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾
