【摘要】 本发明提出一种非挥发性存储单元及其制造方法，该方法包含提供一半 导体基板，该半导体基板依序地具有一导电层和一间隙壁层；于该间隙壁层 与该导电层中界定出至少一沟槽；于该沟槽的底部形成一第一氧化层；于该 沟槽的侧壁，该第一氧化层上方以及该间隙壁层上方形成一介电层；于该沟 槽内形成一第一多晶硅层；以及去除该间隙壁层上方的介电层，以形成本发 明的非挥发性存储单元的基本结构。 【专利类型】发明申请 【申请人】南亚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810145718.4 【申请日】2008-08-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101651097A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101651097B 【授权公告日】2011-06-15 【授权公告年份】2011.0 【发明人】黄信斌; 萧清南; 黄仲麟 【主权项内容】1、一种非挥发性存储单元的制造方法，其特征在于，包含下列步骤： (a)提供一半导体基板，且该半导体基板上依序地具有一导电层和一间隙 壁层； (b)于该间隙壁层与该导电层中界定出至少一沟槽； (c)于该沟槽的底部形成一第一氧化层； (d)于该沟槽的侧壁，该第一氧化层上方以及该间隙壁层上方形成一介电 层； (e)于该沟槽内形成一第一多晶硅层；及 (f)去除该间隙壁层上方的该介电层。 【当前权利人】南亚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
