【摘要】 一种半导体层的表面处理方法及半导体装置的制造方法。此表面处理方法首先提供半导体层，此半导体层的表面具有多个微粒。接着，利用清洁方法移除这些微粒。于此清洗方法中，依序使半导体层接触有机物移除剂、第一过氧化物混合液以及第二过氧化物混合液。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810108776.X 【申请日】2008-05-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101339900B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101339900B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/306; C23F1/14; C23F1/24; C23F1/40 【发明人】唐唯耀; 吴家伟 【主权项内容】一种半导体层的表面处理方法，包括：提供半导体层，该半导体层的表面具有多个微粒；以及利用清洁方法移除该微粒，包括：使该半导体层接触有机物移除剂；使该半导体层接触氧化物移除剂；使该半导体层接触第一过氧化物混合液；及使该半导体层接触第二过氧化物混合液，其中，该半导体层依次序接触该有机物移除剂、该氧化物移除剂、该第一过氧化物混合液及该第二过氧化物混合液。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】8
