【摘要】 一种双接触孔蚀刻停止层工艺，包括：提供基板，基板上具有第一元件区、第二元件区以及位于第一元件区与第二元件区之间的浅沟槽区；在基板上形成具有第一应力的第一应力诱发薄膜，第一应力诱发薄膜未覆盖第二元件区；以及在基板上形成具有第二应力的第二应力诱发薄膜，第二应力诱发薄膜未覆盖第一元件区，在浅沟槽区之上形成第一应力诱发薄膜与第二应力诱发薄膜间的交叠边界，交叠边界的位置紧靠第二元件区以将第一应力于横向引入第二元件区的沟道区。上述双接触孔蚀刻停止层工艺能够使制造出的晶体管具有更好的性能。 【专利类型】发明授权 【申请人】联发科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810110737.3 【申请日】2008-05-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101521179B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101521179B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/8238; H01L21/84; H01L27/092; H01L27/12 【发明人】李东兴; 杨明宗; 柯庆忠; 张添昌; 张裕东 【主权项内容】一种双接触孔蚀刻停止层工艺，包括：提供基板，该基板具有第一元件区、第二元件区以及位于该第一元件区与该第二元件区之间的浅沟槽区；在该基板上形成具有第一应力的第一应力诱发薄膜，该第一应力诱发薄膜未覆盖该第二元件区；以及在该基板上形成具有第二应力的第二应力诱发薄膜，该第二应力诱发薄膜未覆盖该第一元件区，在该浅沟槽区之上形成该第一应力诱发薄膜与该第二应力诱发薄膜之间的交叠边界，该交叠边界的位置紧靠该第二元件区以将该第一应力于横向引入该第二元件区的沟道区。 【当前权利人】联发科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】25
