【摘要】 本发明公开一种二晶体管式静态随机存取存储器及其记忆胞，该记忆胞包括：一第一N型开关元件，该第一N型开关元件具有一控制端连接至一字线，且该第一N型开关元件的一第一端连接至一位线；一第二N型开关元件，该第二N型开关元件具有一控制端连接至该字线，且该第二N型开关元件的一第一端连接至一反相的位线；一第一存储节点，该第一存储节点的一第一端连接至该第一N型开关元件的一第二端；以及，一第二存储节点，该第二存储节点的一第一端连接至该第二N型开关元件的一第二端。本发明可以降低SRAM的面积，相较于6T记忆胞所组成的SRAM，布局面积减少40％以上。使用者也不需要利用外部数据更新电路来进行SRAM数据的更新。 【专利类型】发明授权 【申请人】智原科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810092995.3 【申请日】2008-04-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101261878B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101261878B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C11/41; G11C11/412; G11C11/417; G11C11/418 【发明人】石维强; 柏正豪; 刘国桢 【主权项内容】一种静态随机存取存储器的记忆胞，包括：一第一NMOS晶体管，该第一NMOS晶体管具有一栅极连接至一字线，且该第一NMOS晶体管的一漏极连接至一位线；一第二NMOS晶体管，该第二NMOS晶体管具有一栅极连接至该字线，且该第二NMOS晶体管的一漏极连接至一反相的位线；一第三NMOS晶体管，该第三NMOS晶体管的一漏极连接至该第一NMOS晶体管的一源极；该第三NMOS晶体管的一栅极连接至一外部偏压，该第三NMOS晶体管具有浮接的一源极；以及一第四NMOS晶体管，该第四NMOS晶体管的一漏极连接至该第二NMOS晶体管的一源极，该第四NMOS晶体管的一栅极连接至该外部偏压，该第四NMOS晶体管具有浮接的一源极。。微信 【当前权利人】智原科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
