【摘要】 本发明提供一种电容元件及其制造方法，该电容元件具有高介电材料及 多层垂直式平板电极的电容元件，可采用低温工艺直接制作在一晶片上而与 该晶片上的主动元件整合在一起，以减少该电容元件组装及制作的成本。本 发明还利用硅导孔(Through-Silicon-Via)技术在该电容元件形成垂直导线，而 利于制作堆叠式电容元件，进一步提高电容。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】台湾省新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810148935.9 【申请日】2008-09-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677100A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677100B 【授权公告日】2011-09-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/06; H01L27/108; H01L29/92; H01L21/822; H01L21/8242; H01L21/02; H01L21/70; H01L29/66 【发明人】张恕铭; 江家雯 【主权项内容】1.一种电容元件，其特征在于，该元件包括： 一半导体衬底，具有至少一主动元件； 至少一电容元件，形成于所述半导体衬底中一预定区域，所述电容元件 包括： 一介电材料基体，位于所述半导体衬底中所述预定区域； 多个第一平板电极，从所述半导体衬底的一表面垂直延伸于所述介电材 料基体中而彼此平行配置； 一第一共同导线，形成于所述半导体衬底的所述表面上，并电连接所述 多个第一平板电极； 多个第二平板电极，从所述半导体衬底的所述表面垂直延伸于所述介电 材料基体中，并与所述多个第一平板电极交错平行配置；及 一第二共同导线，相对于所述第一共同导线而形成于所述半导体衬底的 所述表面上，并电连接所述多个第二平板电极。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】2.0 【被引证次数】4 【他引次数】2.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4
