【摘要】 一种散热型半导体封装结构及其制法，主要是在芯片承载件上接置并电性连接一半导体芯片，并提供经黑化处理形成有黑化层的散热件，且在该黑化层上形成有一保护层，再将封装胶体形成于该芯片承载件上并包覆该半导体芯片、保护层及散热件，使该保护层可设置于该黑化层与封装胶体之间，以作为该黑化层与该封装胶体之间的缓冲层，进而防止因散热件与黑化层所受的应力而导致该散热件与该黑化层脱层的问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】矽品精密工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台中县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810178979.6 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752264A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752264B 【授权公告日】2012-02-08 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/50; H01L23/36 【发明人】洪敏顺; 蔡和易; 黄建屏 【主权项内容】一种散热型半导体封装结构的制法，其特征在于，至少包括：提供一芯片承载件，以在该芯片承载件上接置并电性连接至少一半导体芯片；提供一具有第一表面及第二表面的散热件，在该散热件的第二表面形成黑化层，并在该散热件的黑化层上形成一保护层，令该散热件接置于该芯片承载件上；以及进行封装模压作业，以在该芯片承载件上形成包覆该半导体芯片、保护层及散热件的封装胶体。 【当前权利人】矽品精密工业股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台中县 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
