【摘要】 本发明公开了一种复合材料防伪元件及该防伪元件的制备方法和应 用，该防伪元件至少包含由LiNbO3基层和沉积于该LiNbO3基层上至少部 分区域的Co基非晶磁性薄膜层所形成的复合层，并且，所述Co基非晶磁 性薄膜层的厚度为50-300nm。本发明提供的新型复合防伪元件，将非晶软 磁材料沉积在铌酸锂基层上，在不改变合金成分的情况下，磁矩(饱和磁 化强度)会异常增加，该磁特征不可能仅通过测定合金成分而实现仿冒， 提高了仿冒难度，同时改善了目前非晶材料磁特征信号弱，不利于检测的 缺陷，更利于非晶材料在防伪领域的应用。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国印钞造币总公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100044北京市西城区西直门外大街甲143号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810118897.2 【申请日】2008-08-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101659138A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101659138B 【授权公告日】2012-08-08 【授权公告年份】2012.0 【发明人】李新宇; 李晓伟; 曹瑜; 王真; 张渠; 武建国 【主权项内容】1、一种复合材料防伪元件，该防伪元件至少包含由LiNbO3基层和沉 积于该LiNbO3基层上至少部分区域的Co基非晶磁性薄膜层所形成的复合 层，并且，所述Co基非晶磁性薄膜层的厚度为50-300nm。。 【当前权利人】中国印钞造币总公司 【当前专利权人地址】北京市西城区西直门外大街甲143号 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
