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一种超长指令字处理器专利

发布时间:2026-06-15

【摘要】 本发明提供了一种超长指令字处理器。本发明提供的VLIW处理器,采用统一接口和控制方式的数据处理单元,配以分布式寄存器堆和数据交换网络,采用自有的可变长度的VLIW指令集,具备从应用出发,根据应用需要任意增加或删减数据处理单元的能力,使得设计者可以按照本发明提供的VLIW处理器的架构,设计出面向应用的VLIW处理器,从而克服了单一体系结构的VLIW处理器不能适用多种应用需求的矛盾。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京芯慧同用微电子技术有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100083 北京市海淀区知春路23号北京集成电路设计园量子银座509号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224965.3 【申请日】2008-10-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101727435A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101727435B 【授权公告日】2012-01-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G06F15/78; G06F15/76 【发明人】卢安; 张现聚; 罗晋; 倪伟新 【主权项内容】一种超长指令字VLIW处理器,其特征在于,包括:控制路径、数据交换网络和多个包括操作数输入端口和数据输出端口的数据处理单元;所述控制路径包括:指令存储器控制单元,用于对外部的指令存储器进行访问控制;指令译码单元,用于对所述指令存储器控制单元读取的VLIW指令进行指令译码,并将译码得到的微指令发送给处理器状态机、数据交换网络和各个数据处理单元,其中,所述VLIW指令包括指令标志位、指令立即数、数据交换网络控制指令、主控指令和各个并行数据处理单元的微指令;处理器状态机,用于根据接收到的微指令执行处理器的控制操作;每一个数据处理单元包括:数据处理逻辑单元,与所述数据交换网络连接,用于根据接收到的本数据处理单元的微指令,对本数据处理单元的操作数输入端口上输入的数据执行相应的数据运算操作;分布式寄存器堆,用于根据接收到的本数据处理单元的微指令,保存本数据处理单元的数据处理逻辑单元的数据处理结果,和/或将自身保存的数据通过本数据处理单元的数据输出端口输出;所述数据交换网络,用于形成每一个所述操作数输入端口与所有所述数据输出端口之间的通道,并根据接收到的数据交换网络控制指令,选择使所述通道中的一个通道导通。 【当前权利人】北京芯汇中秀电子技术有限公司 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】8

  • 【摘要】本发明提供一种具有微膨胀性、良好抗熔渣侵蚀、耐冲刷性能的高炉出铁口用镁铝尖晶石炮泥,属于冶金用耐火材料领域。本炮泥有下列原料及其按质量份计的含量:镁砂颗粒5~30份,轻烧镁粉5~15份,刚玉20~45份,碳化硅10~20份,焦炭10
  • 【摘要】本发明提供一种维特比译码器及其路径度量计算方法。所述维特比译码器包括:n个蝶形运算单元,宽度为n个路径度量、深度为N(4n)的第一、二FIFO,宽度为n个路径度量、深度为3N(8n)的第三、四FIFO,第一、二多路复用器,控制器,其
  • 【摘要】本发明披露一种振荡器,该振荡器包括具有输入支路、第一输出支路和第二输出支路的电流镜,第一晶体管,第二晶体管,放电电路,第三晶体管,和延时电路,其中第一晶体管的漏极连接在第一输出支路上,其栅极和漏极相连;第二晶体管的漏极连接在输入支路
  • 【摘要】本发明涉及一种GaN基单芯片白光发光二极管外延材料,包括一衬底 和在衬底上依次生长的初始生长层、本征GaN缓冲层、n型GaN层、应 力弛豫层、InGaN多量子阱结构发光层、p型AlGaN夹层和p型GaN层; 该应力弛豫层为InGaN
  • 【摘要】本发明涉及一种基于汽车空调的制动器自动冷却方法及装置,其是在汽车空 调的制冷系统中并联一冷却回路,通过一控制系统自动为制动器进行气冷却。装 置中包括依次通过管路连接的压缩机、冷凝器、过滤干燥器,过滤器干燥器的 输出管路上设置一进气三
  • 【摘要】本发明为一种能够延长NandFlash使用寿命的存储装置及税控打印机,其中 存储装置包括:一NandFlash存储器,用来存储大量数据,其对数据的读、写是 按页操作;还包括:一FRAM存储器,其作为所述的NandFlash存储器临时