【摘要】 本发明公开了一种制备高速电吸收调制器的方法，采用量子阱混杂方法，一次外延生长实现有源波导与无源波导集成，同时采用行波电极以进一步提高调制速率，具有高调制速率、低插入损耗、高光饱和吸收功率和偏振不灵敏等特性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810225782.3 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101738748A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101738748B 【授权公告日】2011-08-10 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G02F1/017; G02F1/01 【发明人】张伟; 潘教青; 汪洋; 朱洪亮 【主权项内容】一种制备高速电吸收调制器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：采用金属有机化学气相沉积方法在衬底上依次外延生长铟磷InP缓冲层、铟镓砷磷InGaAsP下光限制层、多量子阱层MQW、InGaAsP上光限制层和InP注入缓冲层，得到制备高速电吸收调制器的外延片；步骤2：对该外延片的无源波导区进行磷离子注入诱导量子阱混杂处理：步骤3：采用金属有机化学气相沉积法在外延片上二次外延生长p型InP盖层和p型铟镓砷InGaAs欧姆电极接触层；步骤4：掩蔽有源波导区域，腐蚀掉无源波导区上的p型InGaAs欧姆电极接触层，并对无源波导区的p型InP盖层进行氦离子注入；步骤5：刻出脊型波导结构；步骤6：利用热氧化技术生长SiO2绝缘层，腐蚀掉有源波导区上面的SiO2，蒸发金Au/锌Zn作为p型欧姆接触金属；步骤7：蚀掉脊波导两侧下光限制层上的SiO2绝缘层，蒸发金Au/锗Ge/镍Ni作为n型欧姆接触金属；步骤8：用光刻胶保护脊波导和两侧的n型欧姆接触金属，化学腐蚀其余区域未至半绝缘衬底；步骤9：涂覆聚酰亚胺保护脊波导，光刻露出脊波导中间有源波导区上的p型欧姆接触金属和脊波导两侧的n型欧姆接触金属，然后进行固化；步骤10：在器件的整个上表面溅射钛Ti/铂Pt/金Au，光刻并腐蚀出电极图形；背面减薄，完成器件的制作。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】10 【被自引次数】2.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10
