【摘要】 本发明公开了一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法，属于微加工技术领域。该方法首先将硅衬底表面抛光或选择已经单面或双面抛光的硅衬底；在硅衬底表面预制若干个与多孔硅的孔洞宽度相匹配的凹槽，凹槽的排列与所述多孔硅的孔洞分布一致，对上述带有凹槽的硅片进行阳极腐蚀，即可形成孔洞有序排列的多孔硅。采用本发明，多孔硅孔洞将沿着凹槽方向整齐排列，工艺简单、可靠，降低有序多孔硅的制备成本。而且通过预先设计凹槽的方向或排列方式，可有效制备一维或二维孔洞有序排列的多孔硅。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810101961.6 【申请日】2008-03-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101249962B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101249962B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B33/021 【发明人】邓斯天; 傅云义; 李琛; 王川; 廖怀林; 黄如; 张兴 【主权项内容】一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法，其步骤包括：1)选择单面或双面抛光的硅作为衬底；2)在硅衬底表面制得若干个与多孔硅的孔洞宽度相匹配的凹槽，凹槽的排列与所述多孔硅的孔洞分布一致；所述凹槽的宽度与最后多孔硅孔洞直径相仿，或者略小于孔洞直径；3)对上述带有凹槽的硅片进行阳极腐蚀，形成孔洞有序排列的多孔硅。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 北京大学 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】18
