【摘要】 本发明涉及一种GaN基单芯片白光发光二极管外延材料，包括一衬底 和在衬底上依次生长的初始生长层、本征GaN缓冲层、n型GaN层、应 力弛豫层、InGaN多量子阱结构发光层、p型AlGaN夹层和p型GaN层； 该应力弛豫层为InGaN/GaN超晶格应力调制层，由交替生长的InGaN层 和GaN层组成，其中交替生长的InGaN层和GaN层的生长周期为6-500， 对应的厚度为10nm-3μm；InGaN层中的In组分在1％～35％范围内。本 发明通过在N型GaN层和量子阱发光层之间，增加应力弛豫的InGaN/GaN 超晶格应力调制层，增强In的偏析效应，并形成不同组分的InGaN量子 点。这些量子点发射不同波长的光的混合实现白光发光；从根本上降低了 白光发光二极管成本，增加了光出射效率和利用效率，提高了白光发光二 极管的整体性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810223235.1 【申请日】2008-09-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685844A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】陈弘; 郭丽伟; 贾海强; 李卫; 王文新 【主权项内容】1、一种GaN基单芯片白光发光二极管外延材料，包括一衬底，和在 所述的衬底上依次生长的初始生长层、本征GaN缓冲层、n型GaN层、 应力弛豫层、InGaN多量子结构发光层、p型AlGaN夹层和p型GaN层； 其特征在于：所述的应力弛豫层为InGaN/GaN超晶格应力调制层，该超晶 格应力调制层由交替生长的InGaN层和GaN层组成，其中交替生长的 InGaN层和GaN层的生长周期为6-500；所述的InGaN层中的In组分在1 ％～35％范围内；所述的InGaN/GaN超晶格应力调制层的厚度为 10nm-3μm。 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【引证次数】1.0 【被引证次数】86 【自引次数】1.0 【被自引次数】3.0 【被他引次数】83.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】86
