【摘要】 本发明公开了一种存储单元、集成电路及存储单元阵列的制造方法， 提供了一种电荷捕捉存储单元，其具有沿着沟道侧边的口袋注入，该侧边 口袋注入具有和沟道相同的导电型态，且该注入的掺杂物浓度较沟道中央 区域来的高。此种结构可有效防止电荷捕捉结构因鸟嘴或其它边缘异常而 造成沟道侧边非均匀电荷捕捉现象，且前述口袋注入可利用兼容于标准浅 沟槽隔离工艺的方法形成。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810145653.3 【申请日】2008-08-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100589254C 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100589254C 【授权公告日】2010-02-10 【授权公告年份】2010.0 【发明人】吕函庭 【主权项内容】1、一种存储单元，其特征在于，包括： 一第一源极/漏极端与一第二源极/漏极端，该第一与第二源极/漏极端 具有一第一导电型态； 一介于该第一与第二源极/漏极端的沟道，该沟道具有一第二导电型 态，且该沟道具有一由该第一源极/漏极端延伸至该第二源极/漏极端的沟 道长度，以及一与该沟道长度垂直且由该沟道的一第一侧延伸至一第二侧 的宽度； 该沟道包括一沿着至少该第一侧与第二侧之一的掺杂物侧边口袋，该 掺杂物具有该第二导电型态，该侧边口袋处的该掺杂物浓度高于该沟道的 一中央区域的该掺杂物浓度； 一覆盖于该沟道上的电荷捕捉结构；以及 一位于该电荷捕捉结构上的栅极。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区力行路16号 【家族被引证次数】TRUE
