【摘要】 一种发光二极管封装体包括：一个发光二极管芯片，其具有一个电极侧表面和至少两个安装于所述电极侧表面上的电极；一个电极侧绝缘层，其形成于所述发光二极管芯片的电极侧表面上且形成有多个对应于所述多个电极的通孔；形成于所述电极侧绝缘层的每个通孔内的高传热散热层；以及形成于每个高效散热层上的高传热金属层。 【专利类型】发明申请 【申请人】沈育浓 【申请人类型】个人 【申请人地址】中国台湾台北市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185991.X 【申请日】2008-12-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752474A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752474B 【授权公告日】2011-11-30 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】沈育浓 【主权项内容】一种发光二极管封装体，其特征在于包括：一个发光二极管芯片，其具有一个电极侧表面和至少两个安装于所述电极侧表面上的电极；一个电极侧绝缘层，其形成于所述发光二极管芯片的电极侧表面上且形成有多个对应于所述多个电极的通孔；形成于所述电极侧绝缘层的每个通孔内的高传热散热层；以及形成于每个高效散热层上的高传热金属层。 【当前权利人】长春藤控股有限公司 【当前专利权人地址】英属维尔京群岛 【被引证次数】7 【被自引次数】1.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7
