【摘要】 本发明提出一种发光二极管及其减少极化中间层，其中发光二极管在电 子阻碍层与活性层之间形成由AlxInyGa1-x-yN材料所组成的减少极化中间层， 其中0≤x≤1，0≤y≤1。本发明的发光二极管不会降低发光效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810147282.2 【申请日】2008-08-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661978A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】林文禹; 黄世晟; 涂博闵; 叶颖超; 吴芃逸; 詹世雄 【主权项内容】1.一种发光二极管，包含： 基板； 第一传导层，位于该基板上； 活性层，位于该第一传导层上； 减少极化中间层，位于该活性层上； 电子阻碍层，位于该减少极化中间层上，其中该减少极化中间层减少该 电子阻碍层与该活性层因晶格不匹配所产生的压电极化导致的能带倾斜，以 降低载子溢流机率；以及 第二传导层，位于该减少极化中间层上。 【当前权利人】展晶科技(深圳)有限公司; 荣创能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号; 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 【引证次数】4.0 【被引证次数】2 【他引次数】4.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
