【摘要】 本发明涉及一种发光元件及其制造方法，尤其涉及一种使用化学镀膜法 于发光元件形成焊垫的方法。此发光元件包含基板、半导体叠层，位于基板 之上，其中半导体叠层包含p型半导体层、n型半导体层、及位于p型半导 体层与n型半导体层间的发光层、以及焊垫，位于p型半导体层与n型半导 体层中至少其中之一的上方，此焊垫包含以物理镀膜法形成的晶种层与以化 学镀膜法形成的化镀层，且晶种层厚度小于化镀层的厚度。。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810165663.3 【申请日】2008-09-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677115A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677115B 【授权公告日】2011-12-28 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】欧震; 徐宸科; 庄家铭 【主权项内容】1.一种发光元件的制造方法，包含： 提供基板； 形成半导体叠层于该基板上方，该半导体叠层包含p型半导体层、n型 半导体层、及位于该p型半导体层与该n型半导体层间的发光层； 以物理镀膜法形成晶种层于该p型半导体层与该n型半导体层中至少其 中之一的上方；以及 以化学镀膜法形成化镀层于该晶种层上方。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
