【摘要】 一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包含其上定义有有源区域的衬底、位于衬底上并直接包围有源区域的浅沟槽隔离、位于有源区域上的栅极、源极与漏极以及位于浅沟槽隔离与有源区域交界处的上方的硬掩模，其中该源极和漏极由外延层形成，该外延层取代所述衬底的相应部分。 【专利类型】发明授权 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810083007.9 【申请日】2008-03-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101540315B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101540315B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/02; H01L27/092; H01L27/12; H01L21/82; H01L21/762; H01L21/8238; H01L21/84 【发明人】丁世汎; 黄正同; 李坤宪; 洪文瀚; 吴孟益; 郑礼贤; 石忠民; 郑子铭; 吴劲昌; 沈泽民 【主权项内容】一种半导体装置，包含：衬底，其上定义有第一有源区域；第一浅沟槽隔离，位于该衬底上并直接包围该第一有源区域；第一栅极，位于该第一有源区域上；第一源极，位于该第一栅极的一侧的该第一有源区域中并由外延层形成，该外延层取代所述衬底的相应部分；第一漏极，位于该第一栅极的另一侧的该第一有源区域中并由外延层形成，该外延层取代所述衬底的相应部分；以及硬掩模，位于该第一浅沟槽隔离与该第一有源区域交界处的上方。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【家族被引证次数】17
