【摘要】 ： 。本发明公开了一种硅纳米线装配的方法，通过温度场的控制，应用硅纳米线在温度场中具有自组织的特性，能够用来装配平行的纳米线；硅纳米线通过稀磁杂化的方法，使之具有弱磁性，然后通过外加磁场控制的方法进行正交装配。既能装配互相平行的硅纳米线，也能采用多层技术装配正交的纳米线，使构成网格式的纳米线阵列，装配效果好，可以用于装配大规模的纳米线阵列。 【专利类型】发明授权 【申请人】北方工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100041 北京市石景山区晋元庄5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】石景山区 【申请号】CN200810116691.6 【申请日】2008-07-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101399167B 【公开公告日】2010-04-14 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101399167B 【授权公告日】2010-04-14 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; B82B3/00 【发明人】姜岩峰 【主权项内容】一种硅纳米线装配的方法，包括硅纳米线的平行装配，其特征在于，将多条硅纳米线置于温度场中，所述多条硅纳米线沿所述温度场的方向平行排列，形成平行硅纳米线阵列；所述温度场包括热端和冷端，所述热端与冷端之间形成所述的温度场。 【当前权利人】北方工业大学 【当前专利权人地址】北京市石景山区晋元庄5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1211000040086596XB 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】6
