【摘要】 一种芯片封装结构的制作方法，包含下列步骤。首先，提供一金属板材，此金属板材具有第一表面、第二表面以及形成于第一表面上的第一图案化金属层。进行半蚀刻工艺以在金属板材的第一表面上形成多个第一凹部，并由这些第一凹部在金属板材上定义出引脚。第一绝缘材料填充于每一个第一凹部中。第二图案化金属层形成于金属板材的第二表面上。进行半蚀刻工艺以在金属板材的第二表面上形成多个第二凹部。第二凹部分别对应于第一凹部，且暴露第一凹部内部的第一绝缘材料，使得引脚彼此电性绝缘。将芯片置放于金属板材上，且电性连接至金属板材。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810091839.5 【申请日】2008-04-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101252096B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101252096B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/60; H01L21/48; H01L23/488 【发明人】金炯鲁; 尹晟豪 【主权项内容】一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一金属板材，该金属板材具有一第一表面以及一第二表面，且该金属板材的该第一表面上形成有一第一图案化金属层；以该第一图案化金属层为一蚀刻掩模对该金属板材的该第一表面进行一半蚀刻工艺，以于该金属板材的该第一表面形成多个第一凹部，其中所述第一凹部是将该金属板材定义出多个引脚；填充一第一绝缘材料(insulating material)于所述第一凹部内；在该金属板材的该第二表面上形成一第二图案化金属层；以该第二图案化金属层为一蚀刻掩模对该金属板材的该第二表面进行一半蚀刻工艺，以在该金属板材的该第二表面形成多个第二凹部，其中所述第二凹部分别对应于所述第一凹部，并暴露出填充于所述第一凹部内的该第一绝缘材料，以使所述引脚彼此电性绝缘；将一芯片配置于该金属板材上；以及电性连接该芯片与所述引脚。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号 【引证次数】6.0 【被引证次数】1 【他引次数】6.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】43
