【摘要】 本发明公开了一种堆叠电容的存储电极的制作方法。该方法包括：提供 一基底；在该基底上形成一第一介电层、一支撑层及一第二介电层；在该第 一介电层、该支撑层及该第二介电层中蚀刻出一开孔；在该第二介电层及该 开孔内形成一导电层；去除该第二介电层上的该导电层，形成一存储电极层； 去除该第二介电层；在该支撑层及该存储电极层表面沉积一间隙壁层；进行 离子注入，将掺杂剂注入部分该间隙壁层；去除未注入该掺杂剂的该间隙壁 层，构成一硬掩模层；蚀穿未被该硬掩模层覆盖的该支撑层，暴露该第一介 电层；去除该第一介电层及该硬掩模层。根据本发明，可产生更稳定的存储 电极结构，避免所谓的存储电极桥接现象发生。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】南亚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810161731.9 【申请日】2008-09-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685801A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685801B 【授权公告日】2011-04-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/8242; H01L21/28; H01L21/02; H01L21/70 【发明人】管式凡; 戎乐天 【主权项内容】1.一种堆叠电容的存储电极的制作方法，其特征在于包含有： 提供一基底，其中设有一导电区块； 在该基底上形成一堆叠层，该堆叠层自该基底表面依序至少包括一第一 介电层、一支撑层及一第二介电层； 在该堆叠层中形成一开孔，以至少暴露出部分的该导电区块； 在该开孔侧壁及底部形成一存储电极层，并去除该第二介电层以暴露出 该支撑层表面； 共形地沉积一间隙壁层于该支撑层表面及该存储电极层表面； 进行一离子注入工艺，以将一掺杂剂注入部分该间隙壁层； 选择性的去除掉未被注入该掺杂剂的该间隙壁层，并以剩余的该间隙壁 层作为一硬掩模层去除部分该支撑层，由此暴露出部分的该第一介电层；以 及 完全去除掉该第一介电层以及该硬掩模层。 【当前权利人】南亚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】1
