【摘要】 本发明公开了一种克隆生长单壁碳纳米管的方法。该方法是将至少有一端开口 的单壁碳纳米管放入化学气相沉积容器中，在所述容器中通入Ar气和H2，其中Ar 气和H2的气体流量分别为500sccm、300sccm；将所述容器由室温升至到700℃， 并恒温稳定10～60分钟，之后升到二次生长温度900～1050℃，达到二次生长温度 后关闭Ar气体，继续通300sccm氢气，然后通入碳源，二次生长5～30分钟，得 到克隆生长的单壁碳纳米管；所述碳源为下述a)或b)：所述a)为气体流量为 50～300sccmCH4和气体流量为1～20sccm C2H4；所述b)为气体流量为50～300 sccmCH4和气体流量为1～20sccm C2H4。这种以开口生长机理克隆生长单壁碳纳米 管的技术可以推广到其它纳米结构材料的合成中，具有广阔的应用前景。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222216.7 【申请日】2008-09-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101671013A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101671013B 【授权公告日】2011-04-06 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C01B31/02; C01B31/00 【发明人】张锦; 姚亚刚; 冯超群; 刘忠范 【主权项内容】1、一种生长单壁碳纳米管的方法，将至少有一端开口的单壁碳纳米管放入化 学气相沉积容器中，在所述容器中通入Ar气和H2，其中Ar气的气体流量为 500sccm，H2的气体流量为300sccm；将所述容器由室温升至到700℃，并恒温稳 定10～60分钟，之后升到二次生长温度900～1050℃，达到二次生长温度后关闭Ar 气体，继续通300sccm氢气，然后通入碳源，二次生长5～30分钟，得到从所述至 少有一端开口的单壁碳纳米管的端部生长出的与所述至少有一端开口的单壁碳纳 米管的直径和螺旋度相同的单壁碳纳米管；所述碳源为下述a)或b)：所述a)为 50～300sccmCH4和1～20sccm C2H4混合碳源；所述b)为50～300sccmCH4和1～20 sccm C2H4混合碳源。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3
