【摘要】 本发明涉及一类基于稠环噻吩和苯并噻二唑的共轭聚合物及其制备方 法，以及该共轭聚合物作为活性层材料在有机光电子器件如聚合物太阳能电 池、有机场效应晶体管和有机发光二极管中的应用。本发明的基于稠环噻吩 和苯并噻二唑的共轭聚合物具有优异太阳光捕获能力和空穴传输能力，该 类共轭聚合物溶液加工性、热稳定性、电荷传输性、吸光性好，是有机电 子器件如太阳能电池、场效应晶体管和发光二极管中理想的有机半导体材 料。其通式如上所示。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院化学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190北京市海淀区中关村北一街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810222098.X 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101671428A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101671428B 【授权公告日】2011-08-03 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C08G61/12; C09K11/06; H01L51/00; H01L51/46; H01L51/30; H01L51/54 【发明人】占肖卫; 张仕明; 刘瑶 【主权项内容】1.一种基于稠环噻吩和苯并噻二唑的共轭聚合物，其特征是：该基于稠 环噻吩和苯并噻二唑的共轭聚合物具有以下通式结构： 其中：m为0、1、2、3、4、5或6； n为5～200； X为S、Si、C或N； R为正丁基、正戊基、正己基、环己基、正庚基、正辛基、2-乙基 己基、正壬基、正葵基、正十一烷基或正十二烷基； R1为氢、甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、环己基、 正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正葵基、正十一烷基或正十二 烷基； R2为氢、甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、环己基、 正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正葵基、正十一烷基、正十二 烷基、2-葵基十四烷基、2，6-二(异丙基)苯基、3，4，5-三(十二烷氧基) 苯基、3，4，5-三(十二烷氧基)苄基或者R2处没有取代基。 【当前权利人】中国科学院化学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一街2号 【统一社会信用代码】12100000400012238A 【被引证次数】46 【被自引次数】4.0 【被他引次数】42.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】49
