【摘要】 一种边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一衬底； 一下波导层，该下波导层生长在衬底的中间部位，在下波导层上依次生长 有有源层、上波导层和盖层；一高掺杂层，该高掺杂层生长在盖层的上面， 该高掺杂层为二维正方圆孔点阵结构，该点阵结构具有沿ΓX方向的(0， 1)级耦合机制；一二氧化硅层，该二氧化硅层生长在衬底两侧的上面和下 波导层、有源层、上波导层和盖层的两侧，及高掺杂层两侧和高掺杂层上 面的边缘部分；一正面金属电极层，该正面金属电极层生长在二氧化硅层 的上面及高掺杂层的二维正方圆孔点阵结构的上面；一背面金属电极层生 长在衬底的下面，形成边模抑制比为20dB的边发射二维光子晶体分布反 馈量子级联激光器。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119796.7 【申请日】2008-09-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673920A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673920B 【授权公告日】2011-04-13 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01S5/10; H01S5/00 【发明人】陆全勇; 张伟; 王利军; 高瑜; 尹雯; 张全德; 刘万峰; 刘峰奇; 王占国 【主权项内容】1、一种边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，其特征在于， 包括： 一衬底； 一下波导层，该下波导层生长在衬底的中间部位，在下波导层上依次 生长有有源层、上波导层和盖层； 一高掺杂层，该高掺杂层生长在盖层的上面，该高掺杂层为二维正方 圆孔点阵结构，该点阵结构具有沿ΓX方向的(0，1)级耦合机制； 一二氧化硅层，该二氧化硅层生长在衬底两侧的上面和下波导层、有 源层、上波导层和盖层的两侧，及高掺杂层两侧和高掺杂层上面的边缘部 分； 一正面金属电极层，该正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及高 掺杂层的二维正方圆孔点阵结构的上面； 一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成边模抑制比为20dB的边 发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】9 【被自引次数】6.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】9
