【摘要】 本发明公开了一种紫外图像传感器的像素单元及其制备方法。该传感器像素单元包括 一衬底，在衬底上集成两个薄膜晶体管，一个薄膜晶体管为驱动晶体管，包括栅电极、栅 介质、有源层、源/漏电极、遮光层和钝化层；另一个薄膜晶体管为探测晶体管，该探测晶 体管包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极和钝化层。驱动晶体管的栅电极与图像传感 器的行扫描线相连，驱动晶体管的漏电极与图像传感器的列数据线相连；探测晶体管的漏 电极与驱动晶体管的源电极相连，探测晶体管的源电极接地或接到下一行的行扫描线，探 测晶体管的栅电极接地或偏置。本发明不同于传统的单晶半导体器件，具有更强的灵活性 和更低的成本，其分辨率和灵敏度得到显著提高。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学科研部 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810118876.0 【申请日】2008-08-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661944A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661944B 【授权公告日】2011-01-26 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/146; H01L23/522; H01L29/786; H01L21/84; H01L21/768; H04N5/30 【发明人】张盛东; 王漪; 金玉丰 【主权项内容】1、一种紫外图像传感器的像素单元结构，其特征在于，包括一衬底，在衬底上集成 两个薄膜晶体管，其中，一个薄膜晶体管为驱动晶体管，该驱动晶体管包括栅电极、栅介 质、有源层、源/漏电极、遮光层和钝化层；另一个薄膜晶体管为探测晶体管，该探测晶体 管包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极和钝化层，所述驱动晶体管的栅电极与图像传 感器的行扫描线相连，所述驱动晶体管的漏电极与图像传感器的列数据线相连，所述探测 晶体管的漏电极与所述驱动晶体管的源电极相连，所述探测晶体管的源电极接地或接到下 一行的行扫描线，所述探测晶体管的栅电极接地或偏置。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号北京大学科研部 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8
