【摘要】 本发明提供一种去除光致抗蚀剂的方法，包括：100)借助于第一种工艺气体对硅片表面的光致抗蚀剂进行刻蚀，以便至少去除光致抗蚀剂上的硬化层；200)借助于第二种工艺气体继续对所述光致抗蚀剂进行刻蚀，以去除剩余的光致抗蚀剂。此外，本发明还提供一种应用上述去除光致抗蚀剂的方法的等离子体处理设备。本发明提供的去除光致抗蚀剂的方法和等离子体处理设备能够快速均匀地去除硅片表面的光致抗蚀剂，并且可有效减小甚至避免对硅片表面的损伤，同时还具有提高生产效率和加工质量等的优点。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810226652.1 【申请日】2008-11-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101738877A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G03F7/36; G03F7/42; H05H1/00 【发明人】朱哲渊 【主权项内容】一种去除光致抗蚀剂的方法，其特征在于，包括下述步骤：100)借助于第一种工艺气体对硅片表面的光致抗蚀剂进行刻蚀，以便至少去除光致抗蚀剂上的硬化层；200)借助于第二种工艺气体继续对所述光致抗蚀剂进行刻蚀，以去除剩余的光致抗蚀剂。 【当前权利人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
