【摘要】 本发明涉及一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，该方法采用一个单 调掩模板和两个双调掩模板制造了水平电场型液晶显示装置的阵列基板，具 体为：通过采用单调掩模板形成栅线、栅电极和由第一透明导电层和第一金 属层构成的显示区域的图案；通过采用第一双调掩模板沟道，并且将位于显 示区域的第一金属层去掉，形成板状电极；通过采用第二双调掩模板形成过 孔和缝隙电极。本发明液晶显示装置的阵列基板制造方法用一个廉价的单调 掩模板替代了一个昂贵的双调掩模板，从而有效地降低了制造成本。相比现 有技术，本发明液晶显示装置的阵列基板制造方法减少了一次灰化工艺，从 而有效地简化了生产过程，并且还提高了生产速度。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810119138.8 【申请日】2008-08-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661907A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661907B 【授权公告日】2011-12-28 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L21/28; G03F1/00; G02F1/1362; H01L21/70 【发明人】宋泳锡; 崔承镇; 刘圣烈 【主权项内容】1、一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，包括预置层的制作和后置层 的制作，其特征在于，所述预置层的制作具体为： 第一次掩模工艺，在基板上依次沉积第一透明导电层和第一金属层之后 涂布光刻胶，采用单调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成显示区域图 案、栅线和从所述栅线分支出来的栅电极； 第二次掩模工艺，在经过所述第一次掩模工艺的基板上依次沉积第一绝 缘层、半导体层、掺杂半导体层和第二金属层并且涂布光刻胶，采用第一双 调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成硅岛图案和数据线图案并且在所 述显示区域漏出所述第一金属层，对所述光刻胶进行灰化工艺之后再进行蚀 刻，在所述硅岛图案上形成沟道、与所述数据线连接的源电极和漏电极并且 在所述显示区域图案上形成板状电极。。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】1
