【摘要】 本发明提供一种栅极结构的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所 述半导体衬底上具有磷掺杂的多晶硅层；用可溶解偏磷酸的溶剂清洗所述多 晶硅层；在多晶硅层上形成一层或多层堆栈；刻蚀半导体衬底上的复合层形 成栅极结构。用可溶解偏磷酸的溶剂清洗被磷掺杂的多晶硅层，可以去除多 晶硅层表面产生的偏磷酸，防止偏磷酸导致的栅极结构变形，进而解决由此 产生的晶体管漏电问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810118403.0 【申请日】2008-08-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101651095A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101651095B 【授权公告日】2012-10-31 【授权公告年份】2012.0 【发明人】彭坤 【主权项内容】1.一种栅极结构的制造方法，其特征在于，包括步骤： 提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有磷掺杂的多晶硅层； 用可溶解偏磷酸的溶剂清洗所述多晶硅层； 清洗之后，在多晶硅层上形成一层或多层堆栈； 刻蚀半导体衬底上的复合层形成栅极结构。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
