【摘要】 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括：基板；多条扫描线，多条数据线；多个像素，各扫描线分别与其中一列像素电性连接，像素包括：多个第一像素列，各第一像素列包括多个第一像素，各第一像素包括第一薄膜晶体管以及第一像素电极，各第一像素电极与对应的扫描线以及数据线连接；多个第二像素列，各第二像素列包括多个第二像素，各第二像素包括第二薄膜晶体管以及第二像素电极，各第二像素电极与对应的扫描线以及数据线连接，而各第二薄膜晶体管具有一第二延伸源极，连接对应的数据线；以及，多个电容补偿导线，其包括第一电容补偿图案，第一薄膜晶体管与一侧的数据线电性连接，而第一电容补偿图案与另一侧的数据线连接。。： 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810009327.X 【申请日】2008-02-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101226945B 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101226945B 【授权公告日】2010-07-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/12; H01L23/522; G02F1/1362 【发明人】周玉蕙; 廖培钧; 黄雪瑛 【主权项内容】一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：一基板；多条扫描线，配置于该基板上；多条数据线，配置于该基板上；多个像素，阵列排列于该基板上，其中各该扫描线分别与其中一列像素电性连接，而各该像素包括：多个第一像素列，各该第一像素列包括多个第一像素，各该第一像素包括一第一薄膜晶体管以及与该第一薄膜晶体管电性连接的一第一像素电极，其中，各该第一像素电极通过对应的该第一薄膜晶体管与对应的该扫描线以及数据线电性连接；多个第二像素列，各该第二像素列包括多个第二像素，其中该第一像素列与该第二像素列沿着行方向交替排列，各该第二像素包括一第二薄膜晶体管以及与该第二薄膜晶体管电性连接的一第二像素电极，其中，各该第二像素电极通过对应的该第二薄膜晶体管与对应的该扫描线以及数据线电性连接，而各该第二薄膜晶体管具有一第二延伸源极，电性连接对应的该数据线；以及多个电容补偿导线，各该电容补偿导线包括一第一电容补偿图案，该第一薄膜晶体管与一侧的数据线电性连接，而该第一电容补偿图案与另一侧的数据线电性连接，且该第一电容补偿图案造成一第一补偿电容是用以补偿该第二延伸源极与所造成的一第一寄生电容。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【引证次数】6.0 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】1
