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具有快闪内存的储存装置及快闪内存的储存方法专利

发布时间:2026-06-18

【摘要】 本发明是有关一种具有快闪内存的储存装置及快闪内存的储存方法。该具有快闪内存的储存装置,包含一快闪内存及一与该快闪内存电连接的控制单元;该快闪内存包括多数个第一晶体管及多数个第二晶体管;该控制单元接收一资料写入指令,若指令内容为储存于该些第一晶体管中,则该控制单元依一第一动态平均读写演算法将该笔资料储存于第一晶体管中,若储存于该些第二晶体管中,则依一第二动态平均读写演算法将该笔资料储存于第二晶体管中;该控制单元还依一第一静态平均读写演算法管理第一晶体管中的资料,并依一第二静态平均读写演算法管理第二晶体管中的资料。本发明可以针对不同的快闪内存有不同的管理手段以延长快闪内存寿命。。-官网 【专利类型】发明申请 【申请人】宇瞻科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185753.9 【申请日】2008-12-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101751995A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101751995B 【授权公告日】2014-10-01 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G11C16/02; G11C16/06 【发明人】李毓轩 【主权项内容】一种具有快闪内存的储存装置,其特征在于该储存装置包含:一快闪内存,包括多数个第一晶体管及多数个第二晶体管;以及一控制单元,与该快闪内存电连接,并可接收一资料写入指令,若该指令内容为将一笔资料储存于该些第一晶体管中,则依一第一动态平均读写演算法将该笔资料储存于该些第一晶体管中,若该指令内容为将该笔资料储存于该些第二晶体管中,则依一第二动态平均读写演算法将该笔资料储存于该些第二晶体管中;该控制单元还依一第一静态平均读写演算法管理该些第一晶体管中的资料,并依一第二静态平均读写演算法管理该些第二晶体管中的资料。。 【当前权利人】宇瞻科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】1

  • 【摘要】一种具隔离氧化功效的熔炉,包含:熔槽,其顶面设有一开口,该开口上 配合设置一上盖;设置于熔槽中的入料管,其向下延伸在熔槽中形成一天井构 造,用以将金属物料投入熔槽内;至少一浇铸口,设在熔槽侧缘,通过浇铸管 将金属熔液向外导流排出;一
  • 【摘要】一种液晶显示装置包含一显示面板,此显示面板又包含多条扫 描线、栅极驱动电路、以及时脉电路。此时脉电路包含时脉产生器 与调整电路。时脉产生器供产生一时脉信号,而时脉信号具有第一 高电位准位与第一低电位准位。调整电路与时脉产生器连结以接
  • 【摘要】本发明提供一种建立文件信息表的方法,其适用于一光盘,其中光盘中存储多个目录以及一路径表。所述的方法的步骤如下:首先,将路径表存储于一存储模块中;接着,从存储模块中的路径表依序查出每一目录的逻辑磁区地址;随后读取光盘中位于每一目录所属
  • 【摘要】本发明提供一种按键检测方法,首先以计算机的输入单元将按压力量的参 数值及坐标值输入于该计算机的主机中,该参数值通过传输接口传至该检测轴 控制器中存储。该主机依据规划路径驱动Y、X轴移动机构位移,使检测模块位 移至治具盘上方。接着,该
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  • 【摘要】本发明公开了一种可检测接点厚度的基板及其检测方法。该可检测接点厚度的基板至少包含介电层、第一金属层以及第二金属层,该第一金属层形成于该介电层的上表面,该第一金属层包含有线路区及测试区,该线路区具有多个接点,该第二金属层形成于该介电层