【摘要】 本发明涉及一种电解过热度控制方法，属于铝电解技术领域，按照初晶温度计算公式计算初晶温度，通过测量实际温度T，获得过热度ΔT＝T-T初；再根据测量实际温度T和需要控制的过热度ΔT，调整配料中AlF3的添加量，满足初晶T初的要求，保证过热度ΔT的准确稳定控制；有效降低电解过热度，提高电流效率，降低生产成本。。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国铝业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100082 北京市西直门北大街62号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810016027.4 【申请日】2008-05-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101270485B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101270485B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C25C3/20 【发明人】马绍良; 朱乃宝; 曹新乐; 肖亚明; 林玉胜 【主权项内容】一种电解过热度控制方法，其特征在于按照下列初晶温度计算公式：初晶温度T初℃＝979.8+16.5LiF-6.42MgF2-0.67CaF2-3.39Al2O3-1.41AlF3-0.09AlF32式中：LiF为LiF的重量百分含量，MgF2为MgF2的重量百分含量，CaF2为CaF2的重量百分含量，Al2O3为Al2O3的重量百分含量，AlF3为AlF3的重量百分含量；通过测量实际温度T℃，获得过热度ΔT℃＝T℃-T初℃；根据测量实际温度T℃和需要控制的过热度ΔT℃，调整配料中AlF3的添加量，满足初晶温度T初℃的要求，保证过热度ΔT℃的准确稳定控制；AlF3的添加量＝(根据计算所需AlF3含量-分析AlF3含量+杂质分解AlF3含量)×温度系数；其中：根据计算所需AlF3含量为：将电解质成分分析数据Al2O3、CaF2、MgF2和LiF的重量百分含量代入初晶温度计算公式计算所需AlF3含量，其中T初℃＝该槽测量温度T℃-过热度设定值；分析AlF3含量为：(6-2K)/(6+3K)*100，其中，K为该槽电解质成分分析数据中的分子比；杂质分解AlF3含量为：根据添加的氧化铝量及氧化铝化学分析单中Na2O和H2O的重量含量，应用化学反应式2ALF3+3H2O＝AL2O3+6HF和3NaF+ALF3＝Na3ALF6Na2O进行计算；温度系数见下表：表中：T为测量实际温度，AX为游离氟化铝浓度，等于计算所需AlF3含量-分析AlF3含量。 【当前权利人】中国铝业股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市西直门北大街62号 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】911100007109288314 【引证次数】4.0 【自引次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8
