【摘要】 本发明涉及一种硅锗合金材料的制备方法，包括：(1)先将硅、锗及其它掺杂物捣碎、磨细作为原料，或直接选用商品硅、锗及其掺杂物细粉作为原料；(2)将硅粉和锗粉中的其中一种与掺杂物粉体充分混合均匀，压片后，在保护性气氛中，进行熔炼处理；(3)将经熔炼得到的含有掺杂物的硅或锗块体制成细粉后与未加掺杂物的硅粉和锗粉中的另一种粉体充分混合均匀，压片后，在保护性气氛中，在接近硅锗合金固相点的温度下，进行固相反应，得到硅锗合金。本发明提供了一种可以得到成分均匀、无偏析或少偏析的硅锗合金合成工艺。具有制备工艺简单，工艺参数容易控制，具有良好的应用前景。。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京有色金属研究总院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810103291.1 【申请日】2008-04-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101550495B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101550495B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C22C1/05; C22C28/00 【发明人】王忠; 成艳; 褚颖; 朱磊; 简旭宇; 陈晖; 尉海军; 蒋利军 【主权项内容】一种硅锗合金材料的制备方法，其特征在于，包括以下各步骤：第一步骤，分别将硅、锗及其掺杂物捣碎、磨细作为原料，或直接选用商品硅、锗及其掺杂物粉作为原料；并按预先选定的硅锗合金材料中的硅、锗及掺杂物的原子百分比进行备料，所述的硅锗合金成分为Si含量50～90at％，Ge含量10～50at％，所述的掺杂物相对于硅和锗总量的原子百分比为0～5at％，且掺杂物≠0at％，其中，掺杂物为P、Sb、Bi B、Ga、I、稀土元素和过渡金属元素中的一种或几种，或上述元素的化合物；第二步骤，按选定的比例将硅粉和锗粉中的其中一种与掺杂物粉混合均匀，之后用压片机将其压成片材；第三步骤，在真空或惰性气氛中，将含有掺杂物的硅或锗片材进行预熔炼，即加热到含有掺杂物的硅或锗片材的熔点以上温度进行保温2～5h，之后冷却到室温，得到含有掺杂物的硅或锗的块体，所述的含有掺杂物的硅或锗片材进行预熔炼的熔点以上温度分别为：含有掺杂物的硅片材进行预熔炼的温度为1415～1600℃；含有掺杂物的锗片材进行预熔炼的温度为940～1200℃；第四步骤，将上步骤中熔炼得到的含有掺杂物的硅或锗的块体捣碎、磨细，得到含有掺杂物的硅或锗粉体，备用；第五步骤，按选定的比例将上步骤得到的含有掺杂物的粉体与未加掺杂物的硅粉和锗粉中的另一种粉体充分混合均匀，之后用压片机将其压成片材；第六步骤，在真空或惰性气氛中，将上步骤得到的片材加热到略低于其成分固相点温度，保温2～20h，之后冷却到室温，得到硅锗合金块体，所述的略低于该成分固相点温度，为该成分固相点温度～该成分固相点温度下100℃，且并不包括该成分固相点温度。 【当前权利人】北京有色金属研究总院 【当前专利权人地址】北京市新街口外大街2号 【引证次数】5.0 【被引证次数】2 【他引次数】5.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】8
