【摘要】 本发明涉及电极串联式硅微压电传声器及制备，该硅微压电传声器由从上到下依次 放置的电极、面内极化的铁电PZT膜层、氧化锆过渡层、振动膜层、高温二氧化硅圆形倒 模层、体硅刻蚀方杯和体硅刻蚀掩模层组成；面内极化的铁电PZT膜层及电极位于振动膜 层圆形工作区域的中心或/和边缘，面内极化的铁电PZT膜层为圆形膜层或/和环形膜层， 电极由分布在面内极化的铁电PZT膜层圆周方向上的弧形叉指电极组成，且相邻的弧形叉 指电极串联；该硅微压电传声器制作工艺简单，工艺兼容性好，充分利用振动膜的有效 工作区域，电极串联方式可使硅微压电传声器的灵敏度提高1-2个数量级。 （，） 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院声学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190北京市海淀区北四环西路21号中国科学院声学研究所 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810227950.2 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101646116A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101646116B 【授权公告日】2012-02-01 【授权公告年份】2012.0 【发明人】刘梦伟; 汪承灏; 李俊红 【主权项内容】1、一种电极串联式硅微压电传声器，其特征在于，其由从上至下依次放置的电极、 面内极化的铁电PZT膜层、氧化锆过渡层、振动膜层、高温二氧化硅圆形倒模层、体硅刻 蚀方杯和体硅刻蚀掩模层组成； 所述振动膜层为氮化硅膜层、低温二氧化硅膜层或为由氮化硅膜和低温二氧化硅膜 构成的复合膜层；所述低温二氧化硅膜中的低温二氧化硅是采用等离子体增强化学气相 沉积法制备的二氧化硅； 所述高温二氧化硅圆形倒模层中心处设有中心圆孔，该高温二氧化硅圆形倒模层的 高温二氧化硅是采用热氧化法制备的二氧化硅； 所述振动膜中心处的圆形工作区域的直径与所述高温二氧化硅圆形倒模层的中心圆 孔直径相同； 所述体硅刻蚀掩模层中心处设有中心方孔； 所述面内极化的铁电PZT膜层及电极位于所述振动膜的圆形工作区域的中心或/和边 缘； 所述面内极化的铁电PZT膜层为圆形膜层或/和环形膜层； 所述电极由分布在面内极化的铁电PZT膜层圆周方向上的N个弧形叉指电极组成，其 中N为2-50的正整数，第一个弧形叉指电极和最后一个弧形叉指电极为压电微传声器输 出端所在的弧形叉指电极，相邻的弧形叉指电极串联，相邻的弧形叉指电极内的面内极 化的铁电PZT膜层的铁电畴极化方向相同或相反； 所述体硅刻蚀方杯下表面中心处设有与所述体硅刻蚀掩模层的中心方孔尺寸相同的 方形孔，体硅刻蚀方杯上表面中心处设有中心方形孔，该中心方形孔对角线长度小于所 述中心圆孔的直径。 【当前权利人】中国科学院声学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区北四环西路21号中国科学院声学研究所 【统一社会信用代码】12100000400883447M 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
