【摘要】 一种制备具有纳米折叠有源区结构外延片的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先制备AlxInyGazN材料模版，其中x+y+z＝1，0≤x，y，z≤1；步骤2：利用纳米加工技术，在AlInGaN材料模版上制作AlInGaN纳米柱阵列，该AlInGaN纳米柱阵列包括多个AlInGaN纳米柱；步骤3：在AlInGaN纳米柱阵列、AlInGaN纳米柱和AlInGaN材料模版的上表面生长具有纳米折叠结构的有源区层；步骤4：在具有纳米折叠结构的有源区层上生长带有纳米孔阵列的p型GaN层，该p型GaN层填满AlInGaN纳米柱阵列的缝隙，完成外延片的制作。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810113324.0 【申请日】2008-05-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101593675B 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101593675B 【授权公告日】2010-09-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/02; H01L21/20; H01L33/00 【发明人】朱建军 【主权项内容】一种制备具有纳米折叠有源区结构外延片的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先制备AlxInyGazN材料模版，其中x+y+z＝1，0≤x，y，z≤1；步骤2：利用纳米加工技术，在AlInGaN材料模版上制作AlInGaN纳米柱阵列，该AlInGaN纳米柱阵列包括多个AlInGaN纳米柱；步骤3：在AlInGaN纳米柱阵列、AlInGaN纳米柱和AlInGaN材料模版的上表面生长具有纳米折叠结构的有源区层；步骤4：在具有AlxInyGa1-x-yN/AlaInbGa1-a-bN单量子阱或多量子阱的有源区层上生长带有纳米孔阵列的p型GaN层，该p型GaN层填满AlInGaN纳米柱阵列的缝隙，完成外延片的制作。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】12
