【摘要】 本发明公开了一种氧化钇掺杂氧化钕坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法，氧化钇掺杂氧化钕坩埚的成分为每10g的氧化钇Y2O3中掺杂有0.2～1.3g的氧化钕Nd2O3。在用于热压烧结的氧化钇Y2O3粒径为0.01～20μm，氧化钕Nd2O3粒径为0.01～20μm。本发明氧化钇掺杂氧化钕坩埚使用温度为1600～2000℃，且在该温度环境下作为真空熔炼的器具，坩埚内表面未参与活性金属或合金的反应，从而提高了熔体的纯净度。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京航空航天大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路37号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810101790.7 【申请日】2008-03-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101239832B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101239832B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C04B35/66; C04B35/50; C04B35/622; C22B9/04 【发明人】徐惠彬; 高明; 龚路杰; 唐晓霞; 张虎 【主权项内容】一种氧化钇掺杂氧化钕坩埚，其特征在于：氧化钇掺杂氧化钕坩埚的成分为每10g的氧化钇Y2O3中掺杂有0.2～1.3g的氧化钕Nd2O3。 【当前权利人】北京航空航天大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路37号 【统一社会信用代码】12100000400011227Y 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】1
