【摘要】 本发明是有关于一种薄膜制造方法，其包括下列步骤：提供原始基板；形 成蚀刻停止薄膜层于原始基板上；形成牺牲层于蚀刻停止薄膜层上；植入 气体离子，以形成离子分布浓度高峰层并界定出有效转移薄膜层及剩余层；以 及分离有效转移薄膜层及剩余层。可通过控制牺牲层的厚度，进而有效控 制有效转移薄膜层的厚度。此外，也可使有效转移薄膜层厚度均匀，并且 达到纳米等级的厚度。 【专利类型】发明申请 【申请人】李天锡 【申请人类型】个人 【申请人地址】中国台湾台北市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810126986.1 【申请日】2008-06-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620983A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101620983B 【授权公告日】2011-05-25 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; H01L21/265; H01L21/20; H01L21/762; H01L21/84; H01L21/336 【发明人】李天锡; 黄敬涵; 张朝喨; 杨耀渝 【主权项内容】1、一种薄膜制造方法，其特征在于其包括以下步骤： 提供一原始基板； 形成一蚀刻停止薄膜层于该原始基板上； 形成至少一牺牲层于该蚀刻停止薄膜层上； 植入气体离子，其利用一离子布植技术，由该牺牲层植入气体离子并 穿越该蚀刻停止薄膜层，并在该原始基板内形成一离子分布浓度高峰层以 界定出一有效转移薄膜层及一剩余层；以及 分离该有效转移薄膜层与该剩余层，其通过一输入能量处理使植入的 离子聚合化而使其分离。 【当前权利人】李天锡 【当前专利权人地址】中国台湾台北市 【引证次数】2.0 【被引证次数】12 【他引次数】2.0 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】12
