【摘要】 本发明公开了一种CMOS芯片处理方法，所述方法包括以下步骤：向待处理的CMOS芯片注入二氟化硼，其中，注入所述二氟化硼的能量为60千电子伏特，注入二氟化硼的剂量范围为1.8×1012ions/cm2～2.2×1012ions/cm2；对注入二氟化硼后的所述待处理的CMOS芯片进行侧墙蚀刻操作。通过本发明，调整了由于取消RTA操作造成的电性参数的漂移，使调整后的电性参数与未取消RTA操作时的电性参数相差很小，满足芯片性能需求。本发明还公开了一种CMOS芯片处理设备。。 【专利类型】发明申请 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810241030.6 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764095A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764095B 【授权公告日】2014-04-02 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/8238; H01L21/265; H01L21/70; H01L21/02 【发明人】闻正锋 【主权项内容】一种CMOS芯片处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：向待处理的CMOS芯片注入二氟化硼，其中，注入所述二氟化硼的能量为60千电子伏特，注入二氟化硼的剂量范围为1.8×1012ions/cm2～2.2×1012ions/cm2；对注入二氟化硼后的所述待处理的CMOS芯片进行侧墙蚀刻操作。 【当前权利人】深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0
