【摘要】 本发明公开了一种形成双镶嵌结构的方法。首先提供基材，并依序安排有蚀刻停止层与层间介电层位于基材上。此层间介电层具有厚度A。其次，图案化层间介电层以形成第一开口。继续，在层间介电层上形成光致抗蚀剂层。此光致抗蚀剂层具有厚度B。然后，通过光源而图案化此光致抗蚀剂层。接着，通过图案化光致抗蚀剂层而图案化此层间介电层，以建立位于第一开口上方的第二开口并形成双镶嵌结构，其中该光源具有周期参数C，而使得(A+B)/C≈X/2，X为奇数。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810169440.4 【申请日】2008-10-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728313A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728313B 【授权公告日】2015-04-29 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/311; H01L21/70; H01L21/02 【发明人】谢永刚 【主权项内容】一种形成双镶嵌结构的方法，包含：提供基材，其上依序具有蚀刻停止层与层间介电层位于该基材上，且该层间介电层具有厚度A；图案化该层间介电层以形成第一开口；于该层间介电层上形成光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层具有厚度B；通过光源图案化该光致抗蚀剂层；以及通过该图案化光致抗蚀剂层图案化该层间介电层，以建立位于该第一开口上方的第二开口而形成该双镶嵌结构，其中该光源具有周期参数C，且(A+B)/C≈X/2，X为奇数。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【家族引证次数】4.0
