【摘要】 本发明涉及半导体装置及其制造方法，其中半导体装置具有为一外置应力源层所覆盖的至少一晶体管。在一N型金属氧化物半导体装置中，上述外置应力源层包含：一张应力膜，位于源极与漏极区上方；与一压应力膜外置应力源层，位于多晶硅上方。在一P型金属氧化物半导体装置中，上述外置应力源层包含：一压应力膜，位于源极与漏极区上方；与一张应力膜外置应力源层，位于多晶硅上方。在一较佳实施例中，上述半导体装置包含一N型金属氧化物半导体晶体管与一P型金属氧化物半导体晶体管，而形成一互补型金属氧化物半导体装置，且其为一外置应力源层所覆盖。通过针对不同晶体管分别形成对应的张/压应力膜外置应力源层，本发明能够有效强化晶体管的功能。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810009606.6 【申请日】2008-02-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101241913B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101241913B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/092; H01L29/78; H01L27/02; H01L23/532; H01L21/82; H01L21/768 【发明人】葛崇祜; 柯志欣; 李文钦 【主权项内容】一种半导体装置，包含：一衬底；至少一晶体管，形成于该衬底上；一接触孔蚀刻停止层，形成于该晶体管上方；一层间介电层，形成于该接触孔蚀刻停止层上方；以及一层间介电应力源层，形成于该层间绝缘层的上方。 -官网 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】16.0 【家族被引证次数】11
