【摘要】 本发明是关于一种晶粒自动对位的封装结构及其制造方法，以及堆栈式封装结构及其制造方法，该晶粒自动对位的封装结构的制造方法，包括：(a)提供一载体，该载体具有数个承载平台；(b)提供数个晶粒，且分别将所述晶粒置放于所述承载平台上；(c)进行回焊制程，使得所述晶粒对齐于所述承载平台；(d)形成一封胶材料于所述晶粒间的间隙；及(e)进行切割制程，以形成数个封装结构。藉此，所述晶粒在回焊过程中会有自动对齐的效果，因此晶粒附着机的精度要求不高。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810099849.3 【申请日】2008-05-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101281875B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101281875B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/50; H01L21/56; H01L21/60; H01L25/00; H01L23/31; H01L23/488; H01L23/538 【发明人】王盟仁; 王维中 【主权项内容】一种堆栈式封装结构的制造方法，包括：(a)提供第一载体，该第一载体具有数个第一承载平台；(b)提供数个第一晶粒，每一第一晶粒具有至少一个第一穿导孔，分别将所述第一晶粒置放于所述第一承载平台上；(c)进行回焊制程，使得所述第一晶粒对齐于所述第一承载平台；(d)形成第一封胶材料于所述第一晶粒间的间隙；(e)移除该第一载体，以暴露出该第一穿导孔，且该第一封胶材料具有第一表面及一第二表面；(f)形成第一上电路层于该第一封胶材料的第二表面并形成第一下电路层于该第一封胶材料的第一表面，该第一上电路层是利用该第一穿导孔电性连接至该第一下电路层，以形成一第一封装单元；(g)提供一第二封装单元；(h)堆栈该第一封装单元及该第二封装单元；及(i)进行切割制程，以形成数个堆栈式封装结构。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4
