【摘要】 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬 底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段： 首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并 使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米线部分作为窗口横向生长外 延层。本发明利用高晶体质量的纳米线作为横向生长的窗口，横向生长 的外延层与衬底之间间隔着掩膜层，消除了外延层材料和衬底材料之间 晶格匹配的限制。本发明能成功解决晶格失配的晶体材料间异质生长的 问题，为实现光电子集成提供新思路。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京邮电大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100876北京市海淀区西土城路10号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810161833.0 【申请日】2008-09-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685774A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685774B 【授权公告日】2012-06-13 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/20; H01L21/02 【发明人】任晓敏; 黄辉; 叶显; 吕吉贺; 蔡世伟; 黄永清; 王琦 【主权项内容】1、一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺，其特征在于衬底材 料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括如下四个阶段： 首先在衬底上形成金属纳米颗粒； 接着生长纳米线； 然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出； 最后以露出的纳米线部分作为窗口横向生长外延层。 【当前权利人】北京邮电大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区西土城路10号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400009952C 【被引证次数】16 【被自引次数】2.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】18
