【摘要】 本发明公开一种纳米线场效应晶体管。该晶体管是由栅电极、源区、漏区、中心区和栅介质层组成；其中，中心区为芯-壳结构，该芯-壳结构同轴；栅介质层全包围中心区，栅电极全包围栅介质层；源区和漏区分别位于中心区的两侧。其中，中心区的芯结构为绝缘体材料，壳结构为半导体材料；该壳结构材料的掺杂类型及掺杂浓度可调。该芯-壳结构的长度、壳半径以及芯半径可调；另外，该晶体管中，栅介质层、栅电极层、源区和漏区的材料均可调，栅介质层的厚度、源区和漏区材料的掺杂类型及掺杂浓度均可调。绝缘体芯结构的引入能有效降低传统纳米线晶体管的关态电流，提高器件的电流开关比，同时该晶体管受短沟道效应引起的阈值电压漂移以及漏致势垒降低效应的影响更小，尺寸缩小的性能更加优良。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810226509.2 【申请日】2008-11-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740619A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740619B 【授权公告日】2011-07-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/12; H01L29/06; H01L29/66; H01L29/02 【发明人】何进; 张立宁; 张健; 张兴 【主权项内容】一种纳米线场效应晶体管，是由栅电极、源区、漏区、中心区和栅介质层组成；其中，所述中心区为芯-壳结构，所述芯-壳结构同轴；所述栅介质层全包围所述中心区，所述栅电极全包围所述栅介质层；所述源区和漏区分别位于所述中心区的两侧。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司; 北京大学 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号; 北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【被引证次数】16 【被自引次数】6.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】18
