【摘要】 提供一种存储器装置的更新方法，所述更新方法适用于一存储器装置，并包括下列步骤。首先，设定存储器装置无法被读取与写入的睡眠模式。于睡眠模式的期间，依序自动更新第一与第二存储单元阵列，且自动更新第一与第二存储单元阵列的步骤各自包括：于一等电位期间，将感应线对、第一位线对以及第二位线对的电位切换至参考电压，其中感应线对与第二位线对彼此电性不相连；以及，于更新期间，依据第一与第二存储单元阵列的更新顺序，来调整第一与第二位线对的电位，并据以将感应线对至少与第一、第二位线的其一电连接。 【专利类型】发明申请 【申请人】华邦电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810184094.7 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101751985A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101751985B 【授权公告日】2012-10-03 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G11C7/22; G11C11/409; G11C7/00 【发明人】李正升; 吴镇锋 【主权项内容】一种存储器装置的更新方法，其特征在于，所述更新方法适用于一存储器装置，其中所述存储器装置包括一感应放大器、一第一存储单元阵列以及一第二存储单元阵列，所述感应放大器具有一感应线对，并用以放大所述第一存储单元阵列中一第一位线对的信号，以及所述第二存储单元阵列中一第二位线对的信号，所述更新方法包括：设定所述存储器装置无法被读取与写入的一睡眠模式；以及于所述睡眠模式的期间，依序自动更新所述第一与所述第二存储单元阵列，且自动更新所述第一与所述第二存储单元阵列的步骤各自包括：于一等电位期间，将所述感应线对、所述第一位线对以及所述第二位线对的电位切换至一参考电压，其中所述感应线对与所述第二位线对彼此电性不相连；以及于一更新期间，依据所述第一与所述第二存储单元阵列的更新顺序，来调整所述第一与所述第二位线对的电位，并据以将所述感应线对至少与所述第一、所述第二位线的其一电连接。 【当前权利人】华邦电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
